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DMN2040LTS
0.1
V GS = 1.8V
0.06
0.04
V GS = 4.5V
T A = 150°C
V GS = 2.5V
T A = 125°C
V GS = 4.5V
V GS = 8.0V
0.02
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
4 8 12 16
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
20
0
0
4
8 12 16 20
I D , DRAIN CURRENT (A)
1.6
1.4
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 4.5V
0.06
0.04
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.2
I D = 5A
V GS = 10V
I D = 10A
1.0
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.8
0.6
0.02
0
V GS = 10V
I D = 10A
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.6
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
1.4
16
1.2
1.0
0.8
I D = 1mA
12
T A = 25°C
0.6
I D = 250μA
8
0.4
4
0.2
0
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN2040LTS
Document number: DS31941 Rev. 2 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2009
? Diodes Incorporated
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